Símbolos de Transistores MOSFET e IGFET
Los Transistores de efecto de campo (MOSFET e IGFET) son transistores constituidos por un filamento generalmente de silicio semiconductor, llamado canal, y un diodo asociado llamado puerta. Estos símbolos se pueden representar dentro de un círculo.
Símbolo | Descripción | Símbolo | Descripción | |
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Transistor MOSFET Tipo empobrecimiento 3 terminales |
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Transistor MOSFET Tipo empobrecimiento 3 terminale |
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Transistor MOSFET Tipo empobrecimiento 3 terminales |
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Transistor MOSFET Tipo enriquecimiento sustrato unido al surtidor, 3 terminales |
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Transistor MOSFET Tipo enriquecimiento sustrato unido al surtidor, 3 terminales |
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Transistor MOSFET Tipo enriquecimiento sustrato unido al surtidor, 3 terminales |
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Transistor MOSFET Tipo enriquecimiento sustrato unido al surtidor, 3 terminales |
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Transistor MOSFET Tipo enriquecimiento 4 terminales |
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Transistor MOSFET Tipo enriquecimiento 4 terminales |
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Transistor MOSFET Tipo enriquecimiento 4 terminales |
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Transistor MOSFET Tipo empobrecimiento 4 terminales |
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Transistor MOSFET Tipo empobrecimiento 4 terminales |
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Transistor MOSFET Tipo empobrecimiento 4 terminales |
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Transistor MOSFET Tipo empobrecimiento 2 puertas, 5 terminales |
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Transistor MOSFET Tipo empobrecimiento 2 puertas, 5 terminales |
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Transistor MOSFET Tipo enriquecimiento 2 puertas, 5 terminales |
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Transistor MOSFET Tipo enriquecimiento 2 puertas, 5 terminales |
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Transistor MOSFET Tipo enriquecimiento 3 terminales |
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Transistor MOSFET Tipo enriquecimiento 3 terminales |
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Transistor MOSFET Tipo enriquecimiento 3 terminales |
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Transistor Logic level FET | ![]() |
Transistor fotoFET | |
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